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最新高频大功率场效应管参数型号大全【最全信息详解】

发布时间:2020-08-20 23:25人气:

一般来说在设计中需要考虑的问题包括1.运放供电电压大小和方式选择;2.运放封装选择;3.运放反馈方式,即是VFA(电压反馈运放)还是CFA(电流反馈运放);4.运放带宽;5.偏置电压和偏置t电流选择;6温漂;7.压摆率;8.运放输入阻抗选择;9.运放输出驱动能力大小选择;10.运放静态功耗,即ICC电流大小选择;11.运放噪声选择;12.运放驱动负载稳定时间等等。

偏置电压和输入偏置电流

在精密电路设计中,偏置电压是一个关键因素。对于那些经常被忽视的参数,诸如随温度而变化的偏置电压漂移和电压噪声等,也必须测定。精确的放大器要求偏置电压的漂移小于200μV和输入电压噪声低于6nV/√Hz。随温度变化的偏置电压漂移要求小于1μV/℃ 。

低偏置电压的指标在高增益电路设计中很重要,因为偏置电压经过放大可能引起大电压输出,并会占据输出摆幅的一大部分。温度感应和张力测量电路便是利用精密放大器的应用实例。

低输入偏置电流有时是必需的。光接收系统中的放大器就必须具有低偏置电压和低输入偏置电流。比如光电二极管的暗电流电流为pA量级,所以放大器必须具有更小的输入偏置电流。CMOS和JFET输入放大器是目前可用的具有最小输入偏置电流的运算放大器。

因为我现在用的是光电池做采集的系统,所以在使用中重点关心了偏置电压和电流。如果还有其他的需要,这时应该对其他参数也需要多考虑了。

最新高频常用大功率高耐压场效应管参数型号大全

型 号 耐压(V) 电流(A) 功率(W) 型 号 耐压(V) 电流(A) 功率(W)

2SK534 800 5 100 2SK1045 900 5 150

2SK538 900 3 100 2SK1081 800 7 125

2SK557 500 12 100 2SK1082 800 6 125

2SK560 500 15 100 2SK1119 1000 4 100

2SK565 500 9 125 2SK1120 1000 8 150

2SK566 800 3 78 2SK1198 800 3 75

2SK644 500 10 125 2SK1249 500 15 130

2SK719 900 5 120 2SK1250 500 20 150

2SK725 500 15 125 2SK1271 1400 15 240

2SK727 900 5 125 2SK1280 500 18 150

2SK774 500 18 120 2SK1341 900 5 100

2SK785 500 20 150 2SK1342 900 8 100

2SK787 900 8 150 2SK1357 900 5 125

2SK788 500 13 150 2SK1358 900 9 150

2SK790 500 15 150 2SK1451 900 5 120

2SK955 800 9 150 2SK1498 500 20 120

2SK962 900 8 150 2SK1500 500 25 160

2SK1019 500 30 300 2SK1502 900 7 120

2SK1020 500 30 300 2SK1512 850 10 150

2SK1531 500 15 150 IRFP150 100 41 180

2SK1537 900 5 100 IRFP151 60 19 180

2SK1539 900 10 150 IRFP240 200 31 150

2SK1563 500 12 150 IRFP250 200 31 180

2SK1649 900 6 100 IRFP251 150 33 180

2SK1794 900 6 150 IRFP254 250 23 180

2SK2038 900 6 125 IRFP350 400 16 180

IRF350 500 13 150 IRFP351 350 16 180

IRF360 400 25 300 IRFP360 400 23 250

IRF440 500 8 125 IRFP450 500 14 180

IRF450 500 13 150 IRFP451 450 14 180

IRF451 450 13 150 IRFP452 500 12 180

IRF460 500 21 300 IRFP460 500 20 250

IRF740 400 10 125 MTH8N50 500 8 120

IRF820 500 2.5 50 MTH8N60 600 8 120

IRF834 500 5 100 MTH10N50 500 10 120

IRF840 500 8 125 MTH12N50 500 12 120

IRF841 450 8 125 H12N45 450 12 120

IRF842 500 7 125 H13N50 500 13 150

MTH14N50 500 14 150 MTP5N45 450 5 75

MTH20N20 200 20 120 MTP5N50 500 5 75

MTH25N20 200 25 150 MTP6N60 600 6 125

MTH30N10 100 30 120 IXGH10N100 1000 10 100

MTH35N15 150 35 150 IXGH15N100 1000 15 150

MTH40N10 100 40 150 IXGH20N60 600 20 150

MTM6N80 800 6 120 IXGH25N100 1000 25 200

MTM6N90 900 6 150 GH30N60 600 30 180

MTM8N50 500 8 100 GH30N100 1000 30 250

MTM8N90 900 8 150 GH40N60 600 40 200

MTM10N20 200 10 75 IXTH24N50 500 24 250

MTM20N20 200 20 125 IXTH30N20 200 30 180

MTM25N10 100 25 100 IXTH30N30 300 30 180

MTM30N10 100 30 120 IXTH30N50 500 30 300

MTM40N10 100 40 150 IXTH40N30 300 40 250

MTP3N60 600 3 75 IXTH50N10 100 50 150

MTP3N100 1000 3 75 IXTH50N20 200 50 150

MTP4N60 600 4 50 IXTH67N10 100 67 200

MTP4N80 800 4 50 IXTH75N10 100 75 200

Prato Numbe ID(A) VDSS(V) RDS(ON)Ω

1N60H 1

600 11.5

4N60H 4 600 2.7

7N60H 7 600 1.2

7N65H 7 650 1.4

840S 8 500 0.9

13N50H 13 500 0.048

6N70S 5.8 700 1.6

KND4360A 4 600 2.3

KND4365A 4 650 2.5

5N50H 5 500 1.5

KND4560A 6 600 1.7

KND4665B 7 650 1.4

4750S 9 500 0.9

5N60E 4.5 600 2.5

730H 6 400 1

7N80H 7 800 1.9

KNP6140A

10 400 0.5

10N65H10 10 650 0.75

12N60H 12 600 0.65

12N65H 12 650 0.75

13N50H 13 500 0.48

18N50HF 18 500 0.32

20N50H 24 500 0.26

24N50H 24 500 0.2

9N90S 9 900 1.4

KNP6650A 15 500 0.45

40N20H 40 200 0.1

6035A 11 350 0.48

6110A 15 100 0.11

KNB1906B 230 60 0.0035

7610A 25 100 0.038

KND4665B 7 650 1.4

KND830U 8 500 0.9

10N80H 10 800 1.1等

场效应管的直流参数

1.夹断电压Up

在UDS为某一固定值的条件下,使ID等于一个微小电流值(几微安)时,栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。

2. 开启电压UT

在UDS为某一固定值的条件下,使S 极与D 极之间形成导电沟道的UGS就是开启电压。它只适用于增强型绝缘栅型场效应管。

3. 饱和电流IDSS

在UDS =0的条件下,漏极与源极之间所加电压大于夹断电压时的沟道电流称为饱和电流,它适用于耗尽型绝缘栅型场效应管。

4. 直流输入电阻RGS

在场效应管输入端(即栅源之间)所加的电压Ucs 与流过的栅极电流之比,称作直流输入电阻。绝缘栅型场效应管的直流输入电阻比结型场效应管大两个数量级以上。结型场效应管的直流输入电阻为1 X 10 8Ω,而绝缘栅型场效应管的直流输入电阻为1 X 10 12Ω 以上。

5. 漏源击穿电压BVDS

在增大漏师、电压的过程中.使ID开始剧增的UDS值,称为漏源击穿电压。BVDS确定了场效应管的使用电压。

6. 栅源击穿电压BVGS

对结型场效应管来说,反向饱和电流开始剧增时的UGS值,即为栅游、击穿电压。对于绝缘栅型场效应管来说,它是使SiO2 绝缘层击穿的电压。

场效应管的微变参数

1.跨导gm

在漏源电压UDS一定时,漏极电流ID的微量变化和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导,即跨导是衡量场效应管栅源电压UGS对漏极电流ID控制能力的一个参数,也是衡量场效应管放大作用的重要参数之一。

2. 漏源动态电阻rDS

在栅洒、电压一定时, UDS的微小变化量与ID的变化量之比,称为漏源动态内阻rDS ,即rDS的取值范围一般为数千欧至数百千欧。

场效应管的其他参数

①极间电容

场效应管的三个电极间都存在着极间电容,即栅师、电容CGS、栅漏电容CGD和师、漏电容CDS。CGS和CGD一般为1 - 3pF , CDS约为0.1 - 1pF

②漏源最大电流IDM

它是指场效应管漏源极的允许通过的最大电流

③场效应管耗散功率PD

它是指场效应管工作时所耗散的功率

④低频噪声系数NF

场效应管的噪声是由内部载流子运动的不规则性引起的。它的存在会使一个放大器即使在没有信号输入时,在输出端也会出现不规则的电压或电流的变化。场效应管的低频噪声系数要比半导体三极管小。


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